主编·作者名单
主　编
冈崎信次Gigaphoton株式会社原技术顾问
作　者（按照撰写顺序）
冈崎信次Gigaphoton株式会社原技术顾问
林直也日本印刷株式会社精密光电子事业部研究员
石原直东京大学工学系研究科首席研究员
沟口计Gigaphoton株式会社执行副社长/CTO/研究部长
斋藤隆志Gigaphoton株式会社EUV开发部常务执行董事EUV开发部长
山崎卓Gigaphoton株式会社EUV开发部副部长
笑喜勉HOYA株式会社掩膜事业部第2技术开发部主任
小寺丰凸版印刷株式会社综合研究所科长
森本修佳能株式会社光学器材事业本部半导体器材第三PLM中心半导体器材NGL24设计室室长
法元盛久日本印刷株式会社研究开发中心主干研究员
山田章夫Advantest株式会社纳米技术事业本部
中山田宪昭Nu Flare Technology株式会社描画装置技术部参事
山下浩Nu Flare Technology株式会社描画装置技术部光束控制技术组参事
永原诚司东京电子株式会社CTSPS BU 高级经理/首席科学家
上野巧信州大学光纤创新技术孵化中心特聘教授
鸟海实境界科技研究所所长
野尻一男Lam Research株式会社执行董事/研究员
杉本有俊日立株式会社高科技电子器件系统事业统括本部公司顾问
白崎博公玉川大学名誉教授
大田昌弘岛津制作所株式会社分析测量事业部X射线表面测量事业部产品经理
伊藤义泰Rigaku X射线研究所株式会社主任技师
江刺正喜日本东北大学微系统融合研究开发中心主任/教授
户津健太郎日本东北大学微系统融合研究开发中心副教授
铃木裕辉夫日本东北大学微系统融合研究开发中心助手
小岛明日本东北大学微系统融合研究开发中心研究员
池上尚克日本东北大学微系统融合研究开发中心研究员
宫口裕日本东北大学微系统融合研究开发中心研究员
越田信义东京农工大学研究生院工学部特聘教授
寒川诚二日本东北大学流体科学研究所/原子分子材料高等研究所教授

适读人群 ：本书适合有一定半导体相关知识的读者阅读。
在当下，中国半导体产业正面临着严峻的“卡脖子”困境，关键技术的受限成为产业前行路上的巨大阻碍。而《半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲》这本书，恰似黑暗中的一盏明灯，为我们突破困境带来了希望与助力。 本书聚焦半导体微缩图形化与光刻技术，这恰是半导体制造的核心环节，也是中国半导体产业被“卡脖子”的关键领域。书中全面且深入地阐述了从光刻机到下一代光刻技术的发展路径，从光刻胶材料到多重图形化技术的精妙之处。例如，对光掩膜从起源到制造工艺及未来挑战的细致讲解，能让我们清晰洞察这一关键技术的来龙去脉；对EUV光刻技术、电子束刻蚀技术等下一代光刻技术发展趋势的深度剖析，为我们探索新的技术突破方向提供了思路；在光刻胶材料技术上，含金属光刻胶等内容的介绍，有助于我们在材料研发上寻求创新。 本书的作者团队汇聚了冈崎信次等众多来自国际知名企业与科研机构的权威专家。他们丰富的经验与前沿的研究成果，为书中内容注入了强大的专业力量。 对于中国半导体行业的从业者而言，研读此书是打破技术封锁的重要一步。它能帮助我们深入理解相关技术原理与发展方向，启发我们在受限领域进行自主创新，为实现中国半导体关键技术的突破，推动产业迈向自主可控的未来提供坚实的知识支撑，是当下产业攻坚克难不可或缺的专业读物。

目　 录
主编·作者名单
绪　言　　半导体微缩图形化技术与光刻技术
??1????????引言
??2????????微缩化的指导原则及其效果
??3????????光刻技术的发展及其困难
??4????????下一代光刻技术及未来发展
第 1 章　 光掩膜
1.1　引言
1.2　光掩膜的起源
1.3　光掩膜的结构
1.4　光掩膜的制造工艺
1.5　掩膜版的挑战及未来展望
第 2 章　 下一代光刻技术发展趋势
2.1　下一代光刻技术
2.2　EUV光刻技术
2.3　电子束刻蚀技术
2.4　纳米压印技术
2.5　定向自组装（Directed　Self Assembly）技术
第 3 章　 EUV掩膜技术
3.1　EUV掩膜版制造技术
3.2　掩膜技术
第 4 章　 纳米压印技术
4.1　纳米压印设备
4.2　纳米压印模板技术
第 5 章　 电子束刻蚀技术与设备开发
5.1　可变形电子束刻蚀设备
5.2　多电子束刻蚀设备
第 6 章　 定向自组装（DSA）技术
6.1　引言
6.2　DSA技术中聚合物的自组装
6.3　DSA工艺的基本步骤
6.4　DSA工艺相关材料
6.5　DSA工艺的模拟
6.6　DSA技术的优势和挑战
6.7　结语
第 7 章　 光刻胶材料的发展趋势
7.1　引言
7.2　光刻胶技术的转折点
7.3　曝光波长的缩短和光刻胶的光吸收
7.4　显影液的演变
7.5　感光胶的感光机制演变及对比度提高
7.6　分辨率限制与分子尺寸的考察
7.7　结语
第 8 章　 含金属光刻胶材料技术
8.1　初期的含金属光刻胶
8.2　EUV含金属光刻胶的特点
8.3　康奈尔大学、昆士兰大学、EIDEC的含金属光刻胶
8.4　含金属光刻胶的构成
8.5　俄勒冈州立大学、Inpria公司、IMEC的含金属光刻胶
8.6　其他含金属光刻胶
8.7　含金属光刻胶的功能提升
第 9 章　 多重图形化中的沉积和刻蚀技术
9.1　多重图形化中沉积和刻蚀技术的作用
9.2　沉积技术
9.3　刻蚀技术
9.4　结语
第 10 章　 光散射测量技术
10.1　引言
10.2　半导体光刻技术
10.3　反射光测量技术
10.4　散射计
10.5　优化方法
10.6　光散射测量分析的实例
10.7　结语
第 11 章　 扫描探针显微镜技术
11.1　引言
11.2　AFM的原理
11.3　各种SPM技术
11.4　SPM的特点
11.5　SPM的应用
11.6　结语
第 12 章　 基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术
12.1　引言
12.2　X射线散射
12.3　小角度X射线散射的测量方法
12.4　测量示例
12.5　结语
第 13 章　 MEMS技术的微缩图形化应用
13.1　引言
13.2　EUV光源滤波器
13.3　基于有源矩阵纳米硅电子源的超大规模平行电子束刻蚀
13.4　结语
第 14 章　 先进刻蚀技术概要??原子级低损伤高精度刻蚀
14.1　引言
14.2　中性粒子束生成装置
14.3　22nm节点之后的纵向鳍式场效应晶体管
14.4　无缺陷纳米结构及其特性
14.5　原子层面的表面化学反应控制
14.6　结语